RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
104
Около -206% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2938
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link