RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
104
Около -420% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
19.7
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3400
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link