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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
104
左右 -420% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
20
读取速度,GB/s
3,192.0
19.7
写入速度,GB/s
2,404.5
14.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3400
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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