RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
104
Около -373% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3265
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link