RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
104
Около -197% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3060
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link