RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
104
Около -225% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3516
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link