Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,404.5 12.2

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 104

Около -181% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

104 37
Скорость чтения, Гб/сек

3,192.0 13.9
Скорость записи, Гб/сек

2,404.5 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

786 2697

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

AMD R334G1339U2S 4GB

AMD R334G1339U2S 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Mushkin 99[2/7/4]183 8GB

Mushkin 99[2/7/4]183 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB

модули RAM

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N

модули RAM