RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2898
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link