RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
104
Около -235% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2659
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link