RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
104
Около -247% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3312
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link