RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
104
Около -333% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2408
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link