RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
104
Около -167% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.2
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2489
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link