RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
104
Около -285% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2689
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C6NG9 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link