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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
104
左右 -285% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
27
读取速度,GB/s
3,192.0
13.5
写入速度,GB/s
2,404.5
10.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2689
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
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