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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
12.1
15.9
写入速度,GB/s
8.6
9.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2611
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
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