RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
104
Около -316% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2740
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link