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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
104
左右 -316% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
25
读取速度,GB/s
3,192.0
15.2
写入速度,GB/s
2,404.5
12.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2740
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-016.A00G 32GB
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Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
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