Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 16.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,404.5 12.8

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 104

Около -206% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

104 34
Скорость чтения, Гб/сек

3,192.0 16.5
Скорость записи, Гб/сек

2,404.5 12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

786 3193

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Kingston 9905713-019.A00G 4GB

Kingston 9905713-019.A00G 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB

Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB

модули RAM

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

модули RAM

Corsair VS1GSDS533D2 1GB

Corsair VS1GSDS533D2 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB

модули RAM