RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
104
Около -206% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3193
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link