RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
104
Autour de -206% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3193
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9LZ 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link