RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
104
Около -174% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2841
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link