RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
104
Около -247% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3212
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link