RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3212
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link