RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
104
Около -333% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3496
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link