RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
104
Rund um -333% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
15.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3496
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link