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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Vergleichen Sie
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
28
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
9.1
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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Frequency (Mhz) *
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