Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    22 left arrow 28
    Wokół strony 21% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.7 left arrow 12
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.7 left arrow 9.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 17000
    Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    22 left arrow 28
  • Prędkość odczytu, GB/s
    17.7 left arrow 12.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    12.7 left arrow 9.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Taktowanie / szybkość zegara
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    3075 left arrow 2347
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania