RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
104
Около -259% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3302
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link