RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
104
Wokół strony -259% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3302
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link