RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
104
Около -373% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
19.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3879
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link