RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
104
Около -247% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3606
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link