RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
104
Por volta de -247% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
14.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3606
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link