RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
15.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
104
Около -420% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3217
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link