RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
23
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
15
104
Около -593% меньшая задержка
Выше скорость записи
21.0
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
15
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
23.0
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
21.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
4039
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Lenovo 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link