RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
104
Около -285% меньшая задержка
Выше пропускная способность
23400
6400
Около 3.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
23400
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3245
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link