RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
76
104
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
76
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
1859
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link