Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

总分
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

总分
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Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 15.1
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    76 left arrow 104
    左右 -37% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    7.9 left arrow 2,404.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    104 left arrow 76
  • 读取速度,GB/s
    3,192.0 left arrow 15.1
  • 写入速度,GB/s
    2,404.5 left arrow 7.9
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    786 left arrow 1859
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