RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
104
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.8
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2.8
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
60
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
7.8
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
1505
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link