RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
104
Около -197% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.0
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
10.0
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2068
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link