RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
104
Autour de -197% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2068
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link