RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
104
Около -225% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2307
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link