RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
104
En -225% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2307
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link