RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
64
104
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.8
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
64
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2065
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link