RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
104
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
64
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2065
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link