RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Kingston 9905625-152.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
104
Около -271% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2919
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link