RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
104
Около -259% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3311
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link