RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
104
En -259% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3311
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link