RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
104
Около -225% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2929
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link