RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
77
Около -83% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
42
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
12.9
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3126
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link