RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
104
Около -206% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2902
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5403-043.A00LF 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Lenovo 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link