Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

-->

Средняя оценка

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Средняя оценка

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,404.5 11.9

Среднее значение в тестах

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

43 104

Около -142% меньшая задержка
Выше пропускная способность

25600 6400

Около 4 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

104 43
Скорость чтения, Гб/сек

3,192.0 15.5
Скорость записи, Гб/сек

2,404.5 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 25600

Other

Описание

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

no data 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

786 2864

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB

SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB

Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB

Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB

Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB

Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB

Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB

модули RAM